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FF600R12ME4EB11BOSA1 IGBT 模块 IC

FF600R12ME4EB11BOSA1参数介绍:
产品种类: IGBT 模块 
产品: IGBT Silicon Modules 
配置: Common Emitter 
集电极—发射极最大电压 VCEO: 1200 V 
集电极—射极饱和电压: 1.75 V 
封装 / 箱体: 152 mm x 62.5 mm x 20.5 mm 
最小工作温度: - 40 C 
最大工作温度: + 150 C  
商标: Infineon Technologies  
安装风格: Press Fit  
栅极/发射极最大电压: 15 V  
产品类型: IGBT Modules  
工厂包装数量: 6  
子类别: IGBTs  
零件号别名: SP001671626



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安富利(深圳)商贸有限公司介绍:
公司所销售产品涉及世界各名厂IC,:INFINEON(英飞凌),XILINX、LINEAR、ALTERA(阿特拉 )、ATMEL(特梅尔)、STC单片机、英特尔(Intel) 、德州仪器(TI)、飞利浦(Philip)、海力士(Hynix)、MITSUBISHI (三菱)、美国仿真器件(ADI)、国际整流器(IR)、台湾硅成(ICSI)、三星(Samsung)、瑞萨(Renesas)、东芝(Toshiba)、意法(ST)、摩托罗拉(Motorola)、仙童(Fairchid)、美国美商半导体(AMD)、爱特梅尔(Atmel)、安捷伦;
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FF600R12ME4EB11BOSA1封装图片: