FF600R12ME4EB11BOSA1 IGBT 模块 IC

发布时间： 2020/3/26 14:03:26 | 60 次阅读

FF600R12ME4EB11BOSA1参数介绍：
产品种类: IGBT 模块
产品: IGBT Silicon Modules
配置: Common Emitter
集电极—发射极电压 VCEO: 1200 V
集电极—射极饱和电压: 1.75 V
封装 / 箱体: 152 mm x 62.5 mm x 20.5 mm
工作温度: - 40 C
工作温度: + 150 C
商标: Infineon Technologies
安装风格: Press Fit
栅极/发射极电压: 15 V
产品类型: IGBT Modules
工厂包装数量: 6
子类别: IGBTs
零件号别名: SP001671626

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FF600R12ME4EB11BOSA1封装图片:

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